Skateroskop umożliwia pomiary chropowatości RMS oraz wizualizację defektów oraz zanieczyszczeń na płaskich powierzchniach polerowanych. Jest on szczególnie przydatny do kontroli gładkości powierzchni wysokiej jakości płytek szklanych o grubościach od 3 mm, zwierciadeł oraz płytek półprzewodnikowych. Płytki poddawane kontroli w skateroskopie mogą pozostawać przyklejone na czaszy polerskiej podczas procesu polerowania.

Podstawowe dane techniczne:

·        Długość fali światła oświetlającego próbkę l=670 nm

·        Wielkość plamki oświetlającej 0,7´1 mm

·        Minimalna mierzalna chropowatość powierzchni- 0,1 nm

·        Minimalna wykrywalna średnica zanieczyszczeń- 0,1 mm

·        Maksymalna średnica badanego elementu lub czaszy polerskiej- 500 mm

Zastosowanie

1. Kontrola gładkości powierzchni elementów podczas procesu ich polerowania.

Używając skateroskopu można monitorować proces polerowania elementów, np. płytek szklanych, bez potrzeby kłopotliwego odklejania ich od czaszy polerskiej. Na stolik skateroskopu mogą być kładzione czasze polerskie o średnicy nawet do 500 mm, czego nie oferują inni producenci podobnych urządzeń

2. Optymalizacja procesów polerowania.

Przy pomocy skateroskopu można weryfikować efektywność różnych metod polerowania, łatwo ocenić przydatność różnych proszków polerskich, właściwie dobrać optymalny czas polerowania oraz wybrać odpowiednią metodę obróbki chemicznej.

3. Ocena stopnia zanieczyszczenia powierzchni.

Skateroskop jest bardzo czułym urządzeniem, umożliwiającym wizualizację nawet niezwykle małych zanieczyszczeń powierzchni polerowanych, niewidocznych nawet przy użyciu techniki mikroskopii interferencyjnej dyferencjalnej (DIC). Źródłem zanieczyszczenia powierzchni mogą być pozostałości spolerowanego materiału, cząsteczki kurzu unoszące się w powietrzu oraz osady pozostałe po czyszczeniu i myciu tych powierzchni.

Kontrola stopnia zanieczyszczenia powierzchni jest niezwykle ważnym elementem w technologii cienkowarstwowej, gdyż bezpośrednio od niego zależy odporność i wytrzymałość cienkich warstw. Taka kontrola jest również niezwykle ważna w przypadku podkładów półprzewodnikowych jak np. płytki Si czy GaAs używane do nakładania warstw epitaksjalnych, gdzie każda mikronowej średnicy cząsteczka zanieczyszczenia może spowodować przerwę w obwodzie scalonym wyprodukowanym z takiego podkładu.